BMI는 전 세계의 기술을 선도하기 위한 고객의 필요로 하는 제품을 공급하기 위해Material
반도체 분야에서 사용하는 Bare wafer와 Film wafer 등의 일반적인 Test 웨이퍼 뿐만 아니라 MEMS 및 Optical device의
원부자재로 사용되는 Thick SOI Wafer를 생산 및 판매하고 있으며, CMP용 Pattern wafer 와 비용절감을 위한
웨이퍼 재생 서비스를 함께 제공하고 있습니다.
| 제품명 | 설명 |
|---|---|
| Blanket Film Wafer & Wafer Process |
Prime-grade, Test-grade, Dummy-grade 실리콘 웨이퍼 취급 및 재고를 확보하고 있습니다. Grade: Coin Stack, Dummy, Test, Prime 등 가능 사이즈: 4”(100mm)~ 12”(300mm) |
| Blanket Film Wafer & Wafer Process |
재료나 물질, 공정, 장비의 성능을 평가하기 위한 블랭킷웨이퍼 각종 단위공정 Film Wafer및 공정 서비스를 제공합니다. Film Type - Diffusion Furnace/CVD - Metal Films - Coating Films - Other Process Service - Patterned Wafers 가능 사이즈 : 4”(100mm)~ 12”(300mm) |
| Oxide Wafer |
Normal Thermal Oxide Films (THOX®), Super Thick Thermal Oxide Films (THOX®) Super Thick Thermal Oxide (THOX®) Wafer는 고유한 공정 기술을 통하여 최대 20㎛의 두꺼운 Oxide 층을 구현하여 제공하고 있습니다. 가능 사이즈: 4”(100mm), 6”(150mm), 8”(200mm), 12”(300mm) |
| SOI Wafer |
SOI (Silicon on Insulator) 웨이퍼는 산화층에 단일 결정화 층이 구조화된 실리콘 웨이퍼이며 고속 LSI, 전력 LSI, 전력 장치, MEMS 분야에서 사용됩니다. 일반적인 SOI와 더불어 Cavity SOI 웨이퍼 또는 Thick Box SOI 웨이퍼와 같은 특수 SOI 웨이퍼를 제공합니다. Type - SOI Wafer - SOI Box Cavity Wafer - SOI Handle Cavity Wafer 응용분야 : MEMS, Power Device 가능 사이즈 : 4”(100mm), 6”(150mm), 8”(200mm) |
| Wafer Reclaim Service |
이미 사용된 웨이퍼를 전달받아 별도의 공정을 통해 표면상태를 원래의 Bare 상태로 생산해서 공급해주는 서비스를 제공합니다. 가능 사이즈 : 8”(200mm), 12”(300mm) |
스펙이나 가격 등 기타 자세한 사항은 이메일을 통한 견적 문의 바랍니다
SOI Wafer
SOI (Silicon on Insulator) 웨이퍼는 산화층에 단일 결정화 층이 구조화된 실리콘 웨이퍼이며 고속 LSI, 전력 LSI, 전력 장치, MEMS 분야에서 사용됩니다.
일반적인 SOI와 더불어 Cavity SOI 웨이퍼 또는 Thick Box SOI 웨이퍼와 같은 특수 SOI 웨이퍼를 제공합니다.
- 종류 : SOI Wafer, SOI Box Cavity Wafer, SOI Handle Cavity Wafer
- 응용분야 : IGBTs Solutions, DTI "Smart Power Devices", Accelerometers, Gyroscope, Pressure Sensors, Si Microphones, Optical MEMS, Micro Mirrors, RF-MEMS Switch Array
SOI Wafer의 구조
MEMS Wafer
응용분야 : Hard masks for etching, Nanoimprint molds, Acceleration sensors, actuators, cantilevers, and pressure sensors
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일반적으로 MEMS 소자 제작을 위해서는 Deep etching 에 의한 plated-through holes 과 deep engraving이 이루어지는데 이때 두꺼운 열산화 필름 웨이퍼는 etching으로부터
보호될 수 있는 충분한 두께를 유지하여 hard mask로 이용될 수 있습니다.
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단단하고 공정에 용이한 열산화 필름 웨이퍼는 MEMS 분야의 Nanoimprint mold로 광범위하게 적용됩니다.
구조물의 필수인 Mold의 두께는 두꺼운 필름 웨이퍼에 의해 맞춰질 수 있습니다.
Thick SiO2 can be MLA Mold because of enough thickness to create semicircle.
Using SiO2 Mold to manufacture MLA
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ThickBox SOI Wafer는 가속도 센서, 엑츄에이터, Bulk-mode MEMS에 매우 유용합니다.
ThickBox가 Sacrificial층이 됨에 따라 구조물 작동을 위한 충분한 간격이 확보될 수 있어 달라붙는 문제를 해결할 수 있을 뿐더러 수직 작동 범위가 늘어남에 따라 Process yield의
향상과 혁신적인 디바이스 개발을 가능하게 합니다.
더욱이, BOX Cavity와 같은 Structured SOI Wafers를 통해서 고객은 Sacrifical Layer의
Etching과 Patterning을 할 필요가 없어 Process Yield의 증가와 개선효과를 기대할 수 있습니다.
KST의 두꺼운 열산화 공정을 이용한 BOX Cavity SOI Wafers 는 Diaphram 구조를 갖고 있는
MEMS 디바이스에 최적화 되어 있습니다. 고객은 Back side로 부터 에칭 공정을 할필요 없으며 칩을 소형화하고
다른 사이즈의 Cavity 를 적용할 수 있으며 첨단 디바이스의 개발도 가능하게 합니다.
디바이스가 더욱 넓은 구조물의 작동 공간을 갖음에 따라 Handle Cavity SOI Wafers는 deep engraving을 가능하게 합니다.
BOX Cavity 만으로도 고객은 에칭 공정이 제거되고 칩의 소형화 및 향상된 강도등의 다양한 이점을 기대할 수 있습니다.
DNA Bio Chip can be manufactured at the current semiconductor line by using
Thick Thermal Oxidized wafer, instead of quarts glass.
Power Device Wafer
ThickBOX® SOI Wafers 와 Structured SOI Wafers 는 전통적인 디자인 컨셉과 fab을 이용할 수 있는
super-high-voltage power devices 에 매우 적합합니다.
Direct Bond Cavity SOI
하이브리드 타입의 IGBT의 경우, Air layer를 갖는 Direct Bond Cavity SOI 가 매우 효과적입니다.
Air layer는 insulation layer 역할을 하며 이 Air layer로부터 자유로운 공간은 전통적인 실리콘 Substrate로서 사용되어
high voltage 와 radiation 문제 해결에 도움이 됩니다.
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