BMI는 전 세계의 기술을 선도하기 위한 고객의 필요로 하는 제품을 공급하기 위해Material
KST World Corp.
반도체 분야에서 사용하는 Bare wafer와 Film wafer 등의 일반적인 Test 웨이퍼 뿐만 아니라 MEMS 및 Optical device의
원부자재로 사용되는 Thick SOI Wafer를 생산 및 판매하고 있으며, CMP용 Pattern wafer 와 비용절감을 위한
웨이퍼 재생 서비스를 함께 제공하고 있습니다.
| 제품명 | 설명 |
|---|---|
| Blanket Film Wafer & Wafer Process |
Prime-grade, Test-grade, Dummy-grade 실리콘 웨이퍼 취급 및 재고를 확보하고 있습니다. Grade: Coin Stack, Dummy, Test, Prime 등 가능 사이즈: 4”(100mm)~ 12”(300mm) |
| Blanket Film Wafer & Wafer Process |
재료나 물질, 공정, 장비의 성능을 평가하기 위한 블랭킷웨이퍼 각종 단위공정 Film Wafer및 공정 서비스를 제공합니다. Film Type - Diffusion Furnace/CVD - Metal Films - Coating Films - Other Process Service - Patterned Wafers 가능 사이즈 : 4”(100mm)~ 12”(300mm) |
| Oxide Wafer |
Normal Thermal Oxide Films (THOX®), Super Thick Thermal Oxide Films (THOX®) Super Thick Thermal Oxide (THOX®) Wafer는 고유한 공정 기술을 통하여 최대 20㎛의 두꺼운 Oxide 층을 구현하여 제공하고 있습니다. 가능 사이즈: 4”(100mm), 6”(150mm), 8”(200mm), 12”(300mm) |
| SOI Wafer |
SOI (Silicon on Insulator) 웨이퍼는 산화층에 단일 결정화 층이 구조화된 실리콘 웨이퍼이며 고속 LSI, 전력 LSI, 전력 장치, MEMS 분야에서 사용됩니다. 일반적인 SOI와 더불어 Cavity SOI 웨이퍼 또는 Thick Box SOI 웨이퍼와 같은 특수 SOI 웨이퍼를 제공합니다. Type - SOI Wafer - SOI Box Cavity Wafer - SOI Handle Cavity Wafer 응용분야 : MEMS, Power Device 가능 사이즈 : 4”(100mm), 6”(150mm), 8”(200mm) |
| Wafer Reclaim Service |
이미 사용된 웨이퍼를 전달받아 별도의 공정을 통해 표면상태를 원래의 Bare 상태로 생산해서 공급해주는 서비스를 제공합니다. 가능 사이즈 : 8”(200mm), 12”(300mm) |
스펙이나 가격 등 기타 자세한 사항은 이메일을 통한 견적 문의 바랍니다
Oxide Wafer
Nomal Thermal Oxide Films (THOX®), Super Thick Thermal Oxide Films (THOX®)
가능 사이즈: 4”(100mm), 6”(150mm), 8”(200mm), 12”(300mm)
Super thick thermal oxide films (THOX®)
Super Thick Thermal Oxide (THOX®) Wafer는 고유한 공정 기술을 통하여 최대 20㎛의 두꺼운 Oxide 층을 구현하여 제공하고 있습니다.
| Wafer Size | Wafer Thickness | Thermal Oxide Layer Thickness |
|---|---|---|
| 4” | 525µm, 1mm | ~15µm, 20µm |
| 6” | 625µm, 675µm, 1mm | ~15µm, 20µm |
| 8” | 725µm | ~15µm |
| 12” | 775µm | ~15µm |
** 위에 나와있는 제품은 KST의 메인제품입니다.
응용가능 용도
- Oxide Etcher / Bumping House Test 用
- MEMS Device
- Under-Clad of PLC（Planer Light wave Circuit)
- Power Device
- Bio Chips
- RF Device
| Items | 6” | 8” | 12” |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150mm±0.5mm | 200mm±0.5mm | 300mm±0.2mm |
| Thicknes | 675µm±25µm | 725µm±25µm | 775µm±25µm |
| Conductivity | P Type (Boron) | P Type (Boron) | P Type (Boron) |
| Resistivity | 1~100Ω-㎝ | 1~100Ω-㎝ | 1~100Ω-㎝ |
| Orientation | <100> | <100> | <100> |
| Flat/Notch | SEMI Flat | SEMI Notch | SEMI Notch |
| Warp/Bow | <50µm | <50µm | <70µm |
| TTV | <25µm | <25µm | <25µm |
| Surface/Backside | Polished/Etched | Polished/Etched | Polished/Polished |
| Particle | @> 0.3µm, <30pcs | @> 0.2µm, <30pcs | @> 0.2µm, <30pcs |
| Laser Mark | Not Specified | Not Specified | Not Specified |
| Thermal Oxidized Thickness (“1) | 500nm±5% | 500nm±5% | 500nm±5% |
** 위 표에 나와 있는 것은 일반적인 사양입니다. 고객사의 요청에 따라 바꿀 수 있습니다.
** 열 산화 두께는 고객사의 요청에 따라 바꿀 수 있습니다.
Oxide Wafer Sampling Data
| Items | ||
|---|---|---|
| Layer Thickness | 20µm±1µm | 25µm±1µm |
| Uniformity (within a wafer) |
Less Than±0.5% | Less Than±1.5% |
| Uniformity (between wafers) |
Less Than±0.5% | Less Than±1.5% |
| Refractive Index (@1550nm) | 1.4458±0.0001 | 1.4458±0.0008 |
| Sampling Data |
 Average Thickness: 20124nm Uniformity (within a wafer): 0.278%Surface Roughness: Ra=0.12nm (AFM Photo) |
 Average Thickness: 25290nm Uniformity (within a wafer): 0.405%Surface Roughness: Ra=10.3nm (AFM Photo) |
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무통장 입금 안내
계좌정보 : 100-032-569732
예금주 : 주)비엠아이 김흥구 -
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