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    1. Silicon Wafer
    · Type : Coin stack, Dummy, Test, Prime Silicon Wafer
    · Size : 4 inches to 12 inches


      Blanket Film Wafer & Wafer Process

    Specifications

    Size 4 inches to 12 inches
    Film Types Diffusion furnace/CVD Thermal oxide films(THOX®), TEOS films, nitride films, poly-Si films, α-Si films, BPSG, and W-CVD
    Metal films Al, Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, Ti, TiN, Ta, TaN, W, Cu, Cu plating, Au, etc.
    Coating films Resist, polyimide (photosensitive, and nonphotosensitive), and SOG
    Other process service Ion implantation, photolithography, etching, silicon wafer downsizing, grinding, polishing, and laser marking
    Patterned wafers Contact holes, and TEG-patterned wafers for assessment
    * Some wafers can not be processed depending on their sizes. For more information, please contact us


    Process service

    Film type Thickness 4 5 6 8 12
    Thermal oxide films (THOX®) 20 nm―2.5 μm
    Super thick thermal oxide films (THOX®)* Up to 20 μm
    PE-CVD TEOS 100nm―1.5 μm  
    LP-CVD 50 nm―300 nm
    PE-CVD 100 nm―1.2 μm
    BPSG/PSG    
    Poly-Si (Non-Dope) 50 nm―500 nm
    AP-CVD oxide 100 nm―800 nm  
    EPI 1 μm―20 μm      
    Al 100 nm―500 nm        
    Al-Si 100 nm―500 nm    
    Al-Si-Cu 100 nm―500 nm      
    Al-Cu 100 nm―500 nm      
    Ti 100 nm―500 nm
    TiN 100 nm―500 nm
    Ta 100 nm―500 nm      
    TaN 100 nm―500 nm        
    W-Si (CVD) 100 nm―500 nm  
    Cu 100 nm―500 nm      
    Au          
    Resist 100 nm―3 μm
    Pattern processing        
    Ion implantation  
    Polyimide      
    Wafer reclaim  
    SOG      


    Super thick thermal oxide films (THOX®)

    Wafer Size Wafer Thickness Thermal Oxide Layer Thickness
    4" 525µm, 1mm ~ 15µm, 20µm
    6" 625µm, 675µm, 1mm ~ 15µm, 20µm
    8" 725µm ~ 15µm
    12" 775µm ~ 15µm
    * The above mentioned are KST’s major products.
    Application Example
  • Oxide Etcher / Bumping House Test 用
  • MEMS Device
  • Under-Clad of PLC(Planer Light wave Circuit)
  • Power Device
  • Bio Chips
  • RF Device


    1. SOI Wafer

    Structured SOI series




    MEMS Wafer

    - 응용분야 : Hard masks for etching, Nanoimprint molds, Acceleration sensors, actuators, cantilevers, and pressure sensors
  • Hard masks for etching
    일반적으로 MEMS 소자 제작을 위해서는 Deep etching 에 의한 plated-through holes 과 deep engraving이 이루어지는데
    이때 두꺼운 열산화 필름 웨이퍼는 etching으로부터 보호될 수 있는 충분한 두께를 유지하여 hard mask로 이용될 수 있다.
  • Nanoimprint Molds
    단단하고 공정에 용이한 열산화 필름 웨이퍼는 MEMS 분야의 Nanoimprint mold로 광범위하게 적용된다.
    구조물의 필수인 Mold의 두께는 두꺼운 필름 웨이퍼에 의해 맞춰질 수 있다.


  • Acceleration sensors, actuators, cantilevers, and pressure sensors
    ThickBOX® SOI Wafers 는 가속도 센서, 엑츄에이터, bulk-mode MEMS 에 매우 유용하다.
    ThickBOX가 sacrificial 층이 됨에 따라 구조물 작동을 위한 충분한 간격이 확보될 수 있어 달라붙는 문제를 해결할 수 있을 뿐더러 수직 작동 범위가 늘어남에 따라 Process yield 의 향상과 혁식적인 디바이스 개발을 가능케 한다.



    더욱이, BOX Cavity 와 같은 Structured SOI Wafers 를 통해서 고객은 sacrificial layer의 etching 과 패터닝 을 할 필요 없어 process yield 의
    증가와 개선 효과를 기대할 수 있다.


    KST의 두꺼운 열산화 공정을 이용한 BOX Cavity SOI Wafers 는 Diaphram 구조를 갖고 있는 MEMS 디바이스에 최적화 되어 있다.
    고객은 Back side로 부터 에칭 공정을 할필요 없으며 칩을 소형화하고 다른 사이즈의 Cavity 를 적용할 수 있으며 첨단 디바이스의 개발도 가능케 한다.
    디바이스가 더욱 넓은 구조물의 작동 공간을 갖음에 따라 Handle Cavity SOI Wafers는 deep engraving을 가능케 한다.
    BOX Cavity 만으로도 고객은 에칭 공정이 제거되고 칩의 소형화 및 향상된 강도 등의 다양한 이점을 기대할 수 있다.



  • Power Divice Wafer

    - ThickBOX® SOI Wafers 와 Structured SOI Wafers 는 전통적인 디자인 컨셉과 fab을 이용할 수 있는 super-high-voltage power devices 에
       매우 적합하다.


    Power Devices IGBT



    Direct Bond Cavity SOI
    하이브리드 타입의 IGBT의 경우,
    Air layer를 갖는 Direct Bond Cavity SOI 가 매우 효과적이다.
    Air layer는 insulation layer 역할을 하며 이 Air layer로부터
    자유로운 공간은 전통적인 실리콘 Substrate로서 사용되어
    high voltage 와 radiation 문제 해결에 도움이 된다.


      Wafer Reclaim service
    · Size : 8 and 12 inches
    · Flow chart




    NG는 Crystal defect에 의해 발생한다. 이 Crystal defect은 반복적인 열공정이나 웨이퍼 자체에 의해 발생한다.
    많은 Crystal defect이 있는 경우에는 레이저 표면 검사 장비에 의해 파티클로서 count 됨.
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